Exosens | Nuclear & Radiation
Military infrared photodiodes

Photodiodes infrarouges militaires

Photodiodes PiN fabriquées à partir de silicium à haute résistivité, assurant une déplétion complète et une haute sensibilité dans la plage 800 nm à 1100 nm.

L’épaisseur du silicium est ajustée afin d’optimiser la vitesse ou la sensibilité selon les exigences de l’application.

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Quadrants pour la désignation laser
Éléments uniques pour les contre-mesures
Géométries personnalisées pour les applications de fusée / détection de proximité
Qualification et essais environnementaux
Continuité d’approvisionnement

Photodiodes infrarouges militaires

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Description

Géométries disponibles :

  • élément unique
  • quadrant avec largeurs de transition standard ou réduites (200 µm / 70 µm)