Photodiodes amplifiées

Name: Photodiodes amplifiées
Brand: Exosens

Une photodiode en silicium, généralement infrarouge, est associée à une puce d’amplificateur opérationnel dans un boîtier TO standard.

Gain transimpédance de 10 MΩ

Bande passante de 10 kHz

Alimentation simple ou symétrique

Impulsion de sortie positive en alimentation simple (par exemple 5 V)

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Caractéristiques générales / Valeurs maximales absolues

	Max. Rating
DC Supply Voltage	±18V
Storage Temperature Range	-30°C to +100°C
Operating Temperature Range	-20°C to +80°C

Caractéristiques typiques (mesurées à une température ambiante de 22 °C ±2 °C, avec V = ±12 V sauf indication contraire)

DEVICE TYPE	Photodiode Active Area	DC Supply Voltage (Dual Rail)	Quiescent current	Transimpedance Gain	Bandwidth	Dark Noise Amplitude (1MHz)	Dark Noise Offset (1MHz)	Risetime	Spectral Enhancement		Package
DEVICE TYPE	mm²	V	mA	MΩ	kHz	mV	mV	µs	IR	E	Package
ASD 1.75-3T-10M/10k (Flat window)	1.75	±3 to ±18 Typically ±12	4.0	10	10	1.0	2.0	50	✓		TO5
ASD 5.0-3T-10M/10k (Flat window)	5.0	±3 to ±18 Typically ±12	4.0	10	10	1.0	4.0	50	✓		TO5
ASD 5.0-3TL-10M/10k (Lensed window)	5.0	±3 to ±18 Typically ±12	4.0	10	10	1.0	4.0	50	✓		TO5
ASD 5.0-3TE-10M/10k (Eye Response window)	5.0	±3 to ±18 Typically ±12	4.0	10	10	1.0	4.0	50		✓	TO5

Applications